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MELHORIA DO DESEMPENHO DA SRAM FINFET UTILIZANDO DIFERENTES IBD

EDIÇOES NOSSO CONHECIMENTO
08 / 2024
9786207969340
Portugués

Sinopsis

Este livro descreve o conceito de conceçao de SRAM em tecnologias FinFET utilizando caraterísticas únicas de dispositivos nao planares de dupla porta. Será explorado o espaço de parâmetros necessário para a conceçao de FinFETs. Serao apresentadas várias técnicas de conceçao de SRAM que exploram as vantagens das configuraçoes controladas por porta ligada e porta independente. O desempenho, a potência e a estabilidade da SRAM para dispositivos FinFET sao comparados com os dispositivos CMOS planares convencionais. Também será apresentada a modelaçao da variabilidade dos FinFETs através de estatísticas. O dispositivo MOSFET foi comparado com o poli-silício e o molibdénio como material de porta e o dispositivo FinFET foi concebido com diferentes materiais de porta, como o ouro, o tungsténio, o tântalo e o molibdénio, e os resultados foram comparados com os dispositivos com material de porta de poli-silício.

PVP
44,97